產品中心
Products光學顯微鏡、掃描電鏡 掃描電鏡
特點
核心理念
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采用優(yōu)異的成像技術
SU7000可以迅速獲取從大視野全貌圖到表面微細結構等多種檢測信號。全新設計的電子光學系統(tǒng)和檢測系統(tǒng),使得裝置可以同時接收二次電子和背散射電子等信號,用戶可以在短時間內獲得更全面的樣品信息。 -
采用多通道成像技術
隨著用戶對成像需求的不斷增長,SU7000特新增了幾種探測器,還引進了相應的成像功能。SU7000最多可同時顯示和保存6通道信號。實現(xiàn)了獲得樣品信息的最大化。 -
支持不同形狀樣品、多種觀察方法
・大型樣品觀察
・低真空觀察
・超低溫觀察
・實時觀察
等所需的樣品倉和真空系統(tǒng)都十分完備,觀察方法也是一應俱全。 -
支持微納解析
采用肖特基發(fā)射電子槍,最大束流可達到200 nA,適用于各種微納解析。樣品倉形狀和接口設置支持EDX分析、EBSD、陰極熒光分析等,接口設備可通過選配附件滿足各種特殊需求。
成像能力
追求信息最大化的檢測系統(tǒng)
隨著用戶對樣品數(shù)據(jù)的需求更加多元化,對檢測系統(tǒng)在短時間內捕捉更多的信息提出了更高的要求。SU7000的檢測系統(tǒng)可以在不改變WD等條件的前提下,更高效地獲取形貌、成分、晶體學以及發(fā)光等信息。真正實現(xiàn)了更快速、更全面的信息收集。
同一條件觀察
樣品:包裹有機物的金屬棒
樣品提供:Vassar College, Chemistry Dept.
Mr. Smart and Ms. Pineda
通過UD、MD、LD探測器同時采集信號的應用實例 (加速電壓:1 kV)
通過UD、MD、LD探測器可以同時采集信號,UD可獲取表面微細形狀信息,MD可獲取表面有機物包覆狀態(tài)信息,LD可獲取整體凹凸形貌信息。在同一個條件下,實現(xiàn)了獲取信息的最大化。
采用可多通道顯示的GUI設計
優(yōu)化信號顯示功能
成像單元在信號顯示上也作了全新升級。
用戶可根據(jù)觀察需求,選擇不同的視場角和通道數(shù)。
單屏最多可同時顯示4通道信號。
導航功能(SEM MAP)可以輕松捕捉到顯示樣品倉內信息的CCD相機圖像和相機拍攝到的樣品圖像,快速顯示目標圖像。
使用雙屏顯示時,可在一個顯示屏上雙通道顯示1,280×960像素的圖像,另一個顯示屏專門用來顯示信號,最多可同時顯示6通道信號。
高自由度的界面布局
使用單屏時,可以單通道、雙通道、四通道顯示樣品信息,也可以顯示CCD相機圖像、樣品臺圖像/SEM MAP圖像等。而且操作畫面上的工具欄可以任意移動、添加和刪除。
支持雙屏顯示
1st顯示屏專門用來顯示圖像,2nd顯示屏用來顯示操作面板畫面。上圖左圖(1st顯示屏)是通過SU7000觀察到的鋼鐵中非金屬夾雜物的圖片。圖中清晰呈現(xiàn)出UD、LD、UVD、MD、PD-BSED5個探測器捕捉到的圖像以及SEM MAP圖。右圖(2nd顯示屏)將操作面板菜單和圖像歷史記錄窗口在同一個畫面中顯示,界面布局清晰明了。在實現(xiàn)實時監(jiān)控圖像的同時,操作性能也得到了進一步提升。
可擴展觀察和分析方法
樣品倉和馬達臺
樣品倉外觀
標配18個附件接口
馬達臺外觀
XY軸可移動距離為135×100 mm
樣品倉可搭載最大直徑為φ 200 mm;最高80 mm的樣品。大開倉設計,標配18個附件接口。樣品臺可搭載XY軸最大移動距離為135×100 mm,最重2 kg的樣品。搭載大型樣品和功能樣品臺完全不成問題。
相機導航功能(*)
通過相機拍攝樣品
將相機拍攝到的圖像顯示到SEM MAP畫面上進行導航
SU7000可選配導航相機(*),迅速鎖定要觀察的位置。相機安裝在樣品倉內,插入樣品后,可半自動拍攝樣品的整體圖像。該圖像會被顯示到導航畫面(SEM MAP)窗口,因此,用戶可以觀察窗口中的圖像判斷位置。最大適用尺寸為φ 100 mm。
(*)可選配相機。支持動態(tài)觀察的檢測系統(tǒng)
SU7000可用于環(huán)境改變的動態(tài)觀察。低真空觀察時,可以選用PD-BSED(背散射電子探測器)、UVD、MD等各種探測器(**)。
低真空環(huán)境的探測器選擇
左圖為通過MD(背散射電子),右圖為通過UVD(二次電子)探測器觀察到的金屬氧化物纖維的情況。兩張圖分別清晰地呈現(xiàn)出氧化物的分散狀態(tài)和纖維的堆積情況。
PD-BSED:響應速度提高
左圖是以一般的響應速度,約每兩秒掃描一次得到的圖像;右圖抑制了圖像的漂移,使得整體的畫質得到了大幅提升。隨著響應速度的提高,更適用于In-Situ觀察。
(**)可選配PD-BSED、UVD。
規(guī)格
項目
內容
圖像分辨率
二次電子分辨率
0.8 nm/15 kV
0.9 nm/1 kV
放大倍率
20~2,000,000 x
電子槍
發(fā)射體
ZrO/W熱場發(fā)射(肖特基熱場發(fā)射)
加速電壓
0.1~30 kV (步進:0.01 kV)
束流
最大200 nA
探測器
標準探測器
UD (上探測器)
MD (中探測器)
LD (下探測器)
選配探測器*1
PD-BSED (半導體式背散射電子探測器)
UVD(高靈敏度低真空探測器 )
低真空模式*1
樣品倉壓力范圍
5~300 Pa
可使用探測器
PD-BSED, UVD, UD, MD, LD
馬達臺
馬達臺控制
5軸馬達驅動
移動范圍
X
0~135 mm
Y
0~100 mm
Z(WD)
1.5~40 mm
T(傾斜角)
-5~70°
R(旋轉角)
360°
樣品尺寸
最大直徑:φ200 mm, 最大高度:80 mm
顯示器*1
23英寸LCD (1,920×1,080), 支持雙屏
圖像顯示模式
全屏顯示模式
1,280×960像素顯示
單屏顯示模式
800×600像素顯示
雙屏顯示模式
800×600像素顯示、1,280×960像素顯示 *2
四屏顯示模式
640×480像素顯示
六屏顯示模式*2
640×480像素顯示 *2
圖像數(shù)據(jù)保存
保存圖像尺寸
640×480、1,280×960、2,560×1,920、5,120×3,840、10,240×7,680
選配附件
能譜儀(EDX)
X射線波譜儀(WDX)
電子背散射衍射(EBSD)
陰極熒光探測器(CL)
冷凍傳輸系統(tǒng)
各種功能樣品臺